TS3USB221AQRSERQ1 TI
| Наличен |
TS3USB221AQRSERQ1 TI
• Квалифициран за автомобилни приложения
• AEC-Q100 се класира със следните резултати:
– Температурен клас на устройството 1: –40 ° C до 125 ° C Диапазон на работната температура на околната среда
– Устройство HBM ESD класификация ниво H2
– Ниво на класификация на CDM ESD на устройството C5
• VCC работа при 2,5 V до 3,3 V
• VI/O приема сигнали до 5,5 V
• 1.8-V съвместими входове за управление
• Режим на ниска мощност, когато оригиналното оборудване е деактивирано (1 μA)
• rON = 16 Ω максимум
• ΔrON = 0.2 Ω типично
• Cio(on) = 6 pF типично
• Ниска консумация на енергия (максимум 30 μA)
• Висока честотна лента (900 MHz типично)
• ESD ефективността, тествана съгласно JESD 22
– 7000-V модел на човешко тяло (A114-B, клас II)
– 1000-V модел на заредено устройство (C101)
• ESD производителност I/O към GND според JESD 22 – 12-kV модел човек-тяло
• Квалифициран за автомобилни приложения
• AEC-Q100 се класира със следните резултати:
– Температурен клас на устройството 1: –40 ° C до 125 ° C Диапазон на работната температура на околната среда
– Устройство HBM ESD класификация ниво H2
– Ниво на класификация на CDM ESD на устройството C5
• VCC работа при 2,5 V до 3,3 V
• VI/O приема сигнали до 5,5 V
• 1.8-V съвместими входове за управление
• Режим на ниска мощност, когато оригиналното оборудване е деактивирано (1 μA)
• rON = 16 Ω максимум
• ΔrON = 0.2 Ω типично
• Cio(on) = 6 pF типично
• Ниска консумация на енергия (максимум 30 μA)
• Висока честотна лента (900 MHz типично)
• ESD ефективността, тествана съгласно JESD 22
– 7000-V модел на човешко тяло (A114-B, клас II)
– 1000-V модел на заредено устройство (C101)
• ESD производителност I/O към GND според JESD 22 – 12-kV модел човек-тяло
Моля, уверете се, че информацията ви за контакт е вярна. Твой съобщение ще да бъдат изпратени директно на получателя(ите) и няма да бъдат изпратени да бъдат публично изложени. Ние никога няма да разпространяваме или продаваме вашите личен информация за трети страни без вашето изрично разрешение.
