NCV1060BD100R2G ВКЛЮЧЕНО
| Наличен |
NCV1060BD100R2G ВКЛЮЧЕНО
• Вграден 670 V MOSFET с RDS (включен) от 34 (NCV1060) и 11,4 (NCV1063)
• Голямо разстояние на пълзене между щифтовете с високо напрежение
• Работа с фиксирана честота в ток-режим – 60 kHz или 100 kHz
• Регулируем пиков ток: вижте таблицата по-долу
• Фиксирана компенсация на рампата
• Директна обратна връзка за неизолиран преобразувател
• Вътрешна и регулируема верига за защита от претоварване (OPP)
• Пропускане на цикъла само при ниски пикови токове
• Динамично самозахранване: Няма нужда от допълнителна намотка
• Вътрешен 4 ms Soft−Start
• Защита от късо съединение на изхода за автоматично възстановяване с откриване, базирано на таймер
• Автоматична защита от пренапрежение с допълнителна намотка
• Честотно трептене за по-добър EMI подпис
• Консумация на входящ товар < 50 mW
• Вграден 670 V MOSFET с RDS (включен) от 34 (NCV1060) и 11,4 (NCV1063)
• Голямо разстояние на пълзене между щифтовете с високо напрежение
• Работа с фиксирана честота в ток-режим – 60 kHz или 100 kHz
• Регулируем пиков ток: вижте таблицата по-долу
• Фиксирана компенсация на рампата
• Директна обратна връзка за неизолиран преобразувател
• Вътрешна и регулируема верига за защита от претоварване (OPP)
• Пропускане на цикъла само при ниски пикови токове
• Динамично самозахранване: Няма нужда от допълнителна намотка
• Вътрешен 4 ms Soft−Start
• Защита от късо съединение на изхода за автоматично възстановяване с откриване, базирано на таймер
• Автоматична защита от пренапрежение с допълнителна намотка
• Честотно трептене за по-добър EMI подпис
• Консумация на входящ товар < 50 mW
Моля, уверете се, че информацията ви за контакт е вярна. Твой съобщение ще да бъдат изпратени директно на получателя(ите) и няма да бъдат изпратени да бъдат публично изложени. Ние никога няма да разпространяваме или продаваме вашите личен информация за трети страни без вашето изрично разрешение.
